可控硅元件——可控元件的结构

	可控硅元件—可控硅元件的结构


	


	
		
			l 一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又由于晶闸管较初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。
		
	
	
		
			l 在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件(俗称“死硅”)更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。
		
	
	
		
			l 可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果**过此频率，因元件开关损耗显着增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。
		
	
	
		
			l 可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍;反应较快，在微秒级内开通、关断;无触点运行，无火花、无噪音;效率高，成本低等等。
		
	
	
		
			l 可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。
		
	
	
		
			l 可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。